Z H T transistor originale N potenziamento del canale MOS FET HY4008 HY4008W MOSFET

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Shenzhen Z.H.T Technology Co., Ltd. 3 yrs

CN

Z H T transistor originale N potenziamento del canale MOS FET HY4008 HY4008W MOSFET

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

HY4008W

Tipo

Transistor bipolare

Marca

-

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

-

Descrizione

-

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

Da 247

Tipo

Transistor MOSFET

Serie

Modalità di miglioramento del canale N MOSFET

D/c

23 +

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM, Agenzia

Croce di Riferimento

-

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

HY4008W

Imballaggio e consegna

Unità di vendita:

Articolo singolo

Dimensioni della confezione singola:

15X10X9 cm

Peso loro per unità:

1.000 kg

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