Punto d'origine
Guangdong, China
Condizioni dell'Articolo
Nuovo
Livello di rumore
600 mb/s
Tempo medio di accesso
2.0 ms
Peso (pacchetto compreso)
82g
Materiale di Shell
Metallo
Has External Power Supply
No
Numero del Modello
MZ-V9P1T0CW
Si applicano
PC cliente, console di gioco
Interfaccia
PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash
Per SAMSUNG V-NAND MLC a 3 bit
Controller
Per il controller auto-sviluppato di SAMSUNG
Cache
Per SAMSUNG 1GB a bassa potenza DDR4 SDRAM
Lettura sequenziale
Fino a 7,450 MB/s
Scritture sequenziali
Fino a 6,900 MB/s
Consumo energetico medio (livello del sistema)
* Media: 5.4W * Max: 7.8W
Tensione ammissibile
Tensione ammissibile 3.3 V ± 5%
