Transistor IGBT 40 t60 singolo 80A 600V 303W DIP IHW40T60

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd. 4 yrs

CN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

40T60

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Through Hole

Altri attributi

Tipo di montaggio

Through Hole

Descrizione

IHW40T60FKSA1

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

PG-TO247-3-1

Tipo

Transistor

Temperatura di funzionamento

-40°C ~ 175°C (TJ)

Serie

IHW40T60FKSA1 Transistor

D/c

New

Applicazione

IGBT Transistor

品名

40T60

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

80A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

600V

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

120A

Potenza-Max

303W

Frequenza-di Transizione

920uJ

Temperatura di funzionamento

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 40A

Ingresso

Standard

Switching Energy

920uJ

Gate Charge

215 nC

Reverse Recovery Time (trr)

143 ns

Test Condition

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

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